Informace o projektu
Nové polovodičové struktury pro pokročilé elektronické aplikace
- Kód projektu
- TH02010014
- Období řešení
- 1/2017 - 9/2020
- Investor / Programový rámec / typ projektu
-
Technologická agentura ČR
- EPSILON
- Fakulta / Pracoviště MU
- Středoevropský technologický institut
- Spolupracující organizace
-
Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
- Odpovědná osoba Ing. Alice Hospodková, Ph.D.
- Odpovědná osoba Michal Lorenc
Cílem projektu je průmyslový výzkum a experimentální vývoj heteroepitaxního růstu nitridových struktur pro polovodičové aplikace:
1) VaV technologie MOCVD pro růst funkčních nitridových struktur na substrátech průměru až 200 mm.
2) VaV a charakterizace funkčních nitridových struktur pro polovodičové aplikace (např. ověřené funkční struktury pro HEMT).
3) VaV vhodných metod pro měření parametrů nitridových struktur vyráběných pro polovodičové aplikace.
Podpora rozvoje účinné spolupráce průmyslového podniku a výzkumných institucí zásadně přispěje k dosažení a aplikaci výsledků – ověřené technologie a funkčních vzorků včetně metod pro jejich charakterizaci – v polovodičové výrobě v ČR.
Publikace
Počet publikací: 1
2019
-
MOVPE GaN/AlGaN HEMT NANO-STRUCTURES
10TH ANNIVERSARY INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOMATERIALS - RESEARCH & APPLICATION (NANOCON 2018 (R)), rok: 2019